收藏本站
IXFR18N90P
18
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
40
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
16
14
12
10
V GS = 10V
9V
8V
7V
36
32
28
24
V GS = 10V
9V
8V
20
8
16
7V
6
12
4
6V
8
6V
2
0
5V
4
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Junction Temperature
16
V GS = 10V
9V
8V
2.6
V GS = 10V
14
12
10
8
7V
6V
2.2
1.8
1.4
I D = 18A
I D = 9A
6
1.0
4
2
0
5V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
12
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 125oC
T J = 25oC
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFR200N10P MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
IXFR20N100P MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
IXFR20N120P MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
IXFR20N80P MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
IXFR21N100Q MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
IXFR230N20T MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
IXFR24N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFR24N100 MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXFR200N10P 功能描述:MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR200N10P_06 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFR20N100P 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR20N120P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR20N80P 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR21N100Q 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR21N100Q_03 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR230N20T 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube